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IC半導(dǎo)體級(jí) SIO2 二氧化層硅片熱氧化工藝單氧雙氧單雙拋

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熱氧化物表面形成二氧化硅層。在氧化劑的存在下在升高的溫度下，給過(guò)程稱為熱氧化。通常生長(zhǎng)熱氧化層的在水平管式爐中。溫度范圍控制在900到1200攝氏度，使用濕法或者干法的生長(zhǎng)方法。熱氧化物是一種生長(zhǎng)的氧化物層。相對(duì)于CVD法沉積的氧化物層，它具有較高的均勻性和更高的介電強(qiáng)度。這是一個(gè)極好的作為絕緣體的介電層。大多數(shù)硅為基礎(chǔ)的設(shè)備中，熱氧化層都扮演著非常重要的角色，以安撫硅片表面。作為摻雜障礙和表面電介質(zhì)。
應(yīng)用范圍：
1，刻蝕率測(cè)定
2，金屬打線測(cè)試
3，金屬晶圓
4，電性絕緣層
產(chǎn)品名稱：4英寸二氧化硅拋光硅片（SiO2）
生長(zhǎng)方式：直拉單晶（CZ）熱氧化工藝
直徑與公差：100±0.4mm
摻雜類型：N型(摻磷、砷、銻) P型（摻硼）
晶向：\
電阻率：0.001-50(Ω?cm) 可按客戶要求定制
工藝數(shù)據(jù)：平整度TIR:<3μm 、翹曲度TTV: <10μm 、彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆粒度< 10 (for size > 0.3μm)
現(xiàn)有規(guī)格：50nm 100nm 200nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm

用途介紹：用于工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長(zhǎng)樣品、XRD、SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測(cè)試基底、分子束外延生長(zhǎng)的基底、X射線分析晶體半導(dǎo)體